WST8205 double canal N 20 V 5,8 A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

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WST8205 double canal N 20 V 5,8 A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

brève description:


  • Numéro de modèle:WST8205
  • BVDSS :20V
  • RDSON :24 mΩ
  • IDENTIFIANT:5,8A
  • Canal:Double canal N
  • Emballer:SOT-23-6L
  • Produit estival :Le MOSFET WST8205 fonctionne à 20 volts, supporte 5,8 ampères de courant et possède une résistance de 24 milliohms.Le MOSFET se compose d'un double canal N et est conditionné en SOT-23-6L.
  • Applications:Electronique automobile, lumières LED, audio, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, panneaux de protection.
  • Détail du produit

    Application

    Mots clés du produit

    Description générale

    Le WST8205 est un MOSFET N-Ch à tranchée hautes performances avec une densité de cellules extrêmement élevée, fournissant un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des petites applications de commutation de puissance et de commutation de charge.Le WST8205 répond aux exigences RoHS et Green Product avec une approbation complète de fiabilité fonctionnelle.

    Caractéristiques

    Notre technologie avancée intègre des fonctionnalités innovantes qui distinguent cet appareil des autres appareils du marché.Avec des tranchées à haute densité de cellules, cette technologie permet une meilleure intégration des composants, conduisant à des performances et une efficacité améliorées. L'un des avantages notables de ce dispositif est sa charge de grille extrêmement faible.En conséquence, il nécessite un minimum d'énergie pour basculer entre ses états marche et arrêt, ce qui entraîne une consommation d'énergie réduite et une efficacité globale améliorée.Cette faible caractéristique de charge de grille en fait un choix idéal pour les applications qui exigent une commutation à grande vitesse et un contrôle précis. De plus, notre dispositif excelle dans la réduction des effets Cdv/dt.Cdv/dt, ou le taux de variation de la tension drain-source au fil du temps, peut provoquer des effets indésirables tels que des pics de tension et des interférences électromagnétiques.En minimisant efficacement ces effets, notre appareil assure un fonctionnement fiable et stable, même dans des environnements exigeants et dynamiques. Outre ses prouesses techniques, cet appareil est également respectueux de l'environnement.Il est conçu dans un souci de durabilité, en tenant compte de facteurs tels que l’efficacité énergétique et la longévité.En fonctionnant avec la plus grande efficacité énergétique, cet appareil minimise son empreinte carbone et contribue à un avenir plus vert. En résumé, notre appareil combine une technologie de pointe avec des tranchées à haute densité cellulaire, une charge de grille extrêmement faible et une excellente réduction des effets Cdv/dt.Grâce à sa conception respectueuse de l'environnement, il offre non seulement des performances et une efficacité supérieures, mais répond également au besoin croissant de solutions durables dans le monde d'aujourd'hui.

    Applications

    Petite commutation de puissance synchrone au point de charge haute fréquence pour système d'alimentation réseau DC-DC MB/NB/UMPC/VGA, électronique automobile, lumières LED, audio, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, cartes de protection.

    numéro d'article correspondant

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Paramètres importants

    Symbole Paramètre Notation Unités
    VDS Tension drain-source 20 V
    VGS Tension grille-source ±12 V
    ID @ Tc = 25 ℃ Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1 5.8 A
    ID @ Tc = 70 ℃ Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1 3.8 A
    IDM Courant de drain pulsé2 16 A
    PD @ TA = 25 ℃ Dissipation totale de puissance3 2.1 W
    TSTG Plage de température de stockage -55 à 150
    TJ Plage de température de jonction de fonctionnement -55 à 150
    Symbole Paramètre Conditions Min. Typ. Max. Unité
    BVDSS Tension de claquage drain-source VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coefficient de température BVDSS Référence à 25℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS(ON) Résistance statique drain-source2 VGS = 4,5 V, ID = 5,5 A --- 24 28
           
        VGS = 2,5 V, ID = 3,5 A --- 30 45  
    VGS(ème) Tension de seuil de porte VGS = VDS, ID = 250 uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(e) Coefficient de température VGS(th)   --- -2,33 --- mV/℃
    IDSS Courant de fuite drain-source VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ --- --- 1 uA
           
        VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ --- --- 5  
    IGSS Courant de fuite grille-source VGS = ± 12 V, VDS = 0 V --- --- ±100 nA
    gfs Transconductance directe VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Résistance de porte VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1,5 3 Ω
    Qg Charge totale de porte (4,5 V) VDS = 10 V, VGS = 4,5 V, ID = 5,5 A. --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Charge porte-source --- 1.4 2.0
    Qgd Charge de vidange de porte --- 2.2 3.2
    Td(on) Délai d'activation VDD = 10 V, VGEN = 4,5 V, RG = 6 Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Temps de montée --- 34 63
    Td (arrêt) Délai d'arrêt --- 22 46
    Tf Temps d'automne --- 9.0 18.4
    Ciss Capacité d'entrée VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 625 889 pF
    Coss Capacité de sortie --- 69 98
    Croix Capacité de transfert inverse --- 61 88

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