WST8205 double canal N 20 V 5,8 A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Description générale
Le WST8205 est un MOSFET N-Ch à tranchée haute performance avec une densité de cellules extrêmement élevée, fournissant un excellent RDSON et une excellente charge de grille pour la plupart des petites applications de commutation de puissance et de commutation de charge. Le WST8205 répond aux exigences RoHS et Green Product avec une approbation complète de fiabilité fonctionnelle.
Caractéristiques
Notre technologie avancée intègre des fonctionnalités innovantes qui distinguent cet appareil des autres appareils du marché. Avec des tranchées à haute densité de cellules, cette technologie permet une meilleure intégration des composants, conduisant à des performances et une efficacité améliorées. L'un des avantages notables de ce dispositif est sa charge de grille extrêmement faible. En conséquence, il nécessite un minimum d'énergie pour basculer entre ses états marche et arrêt, ce qui entraîne une consommation d'énergie réduite et une efficacité globale améliorée. Cette faible caractéristique de charge de grille en fait un choix idéal pour les applications qui exigent une commutation à grande vitesse et un contrôle précis. De plus, notre dispositif excelle dans la réduction des effets Cdv/dt. Cdv/dt, ou le taux de variation de la tension drain-source au fil du temps, peut provoquer des effets indésirables tels que des pics de tension et des interférences électromagnétiques. En minimisant efficacement ces effets, notre appareil assure un fonctionnement fiable et stable, même dans des environnements exigeants et dynamiques. Outre ses prouesses techniques, cet appareil est également respectueux de l'environnement. Il est conçu dans un souci de durabilité, en tenant compte de facteurs tels que l’efficacité énergétique et la longévité. En fonctionnant avec la plus grande efficacité énergétique, cet appareil minimise son empreinte carbone et contribue à un avenir plus vert. En résumé, notre appareil combine une technologie de pointe avec des tranchées à haute densité cellulaire, une charge de grille extrêmement faible et une excellente réduction des effets Cdv/dt. Grâce à sa conception respectueuse de l'environnement, il offre non seulement des performances et une efficacité supérieures, mais répond également au besoin croissant de solutions durables dans le monde d'aujourd'hui.
Applications
Petite commutation de puissance synchrone au point de charge haute fréquence pour système d'alimentation réseau DC-DC MB/NB/UMPC/VGA, électronique automobile, lumières LED, audio, produits numériques, petits appareils électroménagers, électronique grand public, cartes de protection.
numéro d'article correspondant
AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.
Paramètres importants
Symbole | Paramètre | Notation | Unités |
VDS | Tension drain-source | 20 | V |
VGS | Tension grille-source | ±12 | V |
ID @ Tc = 25 ℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1 | 5.8 | A |
ID @ Tc = 70 ℃ | Courant de vidange continu, VGS @ 4,5 V1 | 3.8 | A |
IDM | Courant de drain pulsé2 | 16 | A |
PD @ TA = 25 ℃ | Dissipation totale de puissance3 | 2.1 | W |
TSTG | Plage de température de stockage | -55 à 150 | ℃ |
TJ | Plage de température de jonction de fonctionnement | -55 à 150 | ℃ |
Symbole | Paramètre | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unité |
BVDSS | Tension de claquage drain-source | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coefficient de température BVDSS | Référence à 25℃, ID=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Résistance statique drain-source2 | VGS = 4,5 V, ID = 5,5 A | --- | 24 | 28 | mΩ |
VGS = 2,5 V, ID = 3,5 A | --- | 30 | 45 | |||
VGS(ème) | Tension de seuil de porte | VGS = VDS, ID = 250 uA | 0,5 | 0,7 | 1.2 | V |
△VGS(e) | Coefficient de température VGS(th) | --- | -2,33 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Courant de fuite drain-source | VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS = 16 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Courant de fuite grille-source | VGS = ± 12 V, VDS = 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transconductance directe | VDS=5V, ID=5A | --- | 25 | --- | S |
Rg | Résistance de porte | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1,5 | 3 | Ω |
Qg | Charge totale de porte (4,5 V) | VDS = 10 V, VGS = 4,5 V, ID = 5,5 A. | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
Qgs | Charge porte-source | --- | 1.4 | 2.0 | ||
Qgd | Charge de vidange de porte | --- | 2.2 | 3.2 | ||
Td(on) | Délai d'activation | VDD = 10 V, VGEN = 4,5 V, RG = 6 Ω ID=5A, RL=10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
Tr | Temps de montée | --- | 34 | 63 | ||
Td (arrêt) | Délai d'arrêt | --- | 22 | 46 | ||
Tf | Temps d'automne | --- | 9.0 | 18.4 | ||
Ciss | Capacité d'entrée | VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 625 | 889 | pF |
Coss | Capacité de sortie | --- | 69 | 98 | ||
Croix | Capacité de transfert inverse | --- | 61 | 88 |