Identification et tests de base des MOSFET

1. Identification des broches MOSFET de jonction

La porte duMOSFET est la base du transistor, et le drain et la source sont le collecteur et l'émetteur dutransistor correspondant. Le multimètre à engrenage R × 1k, avec deux stylos pour mesurer la résistance directe et inverse entre les deux broches. Lorsqu'une résistance directe à deux broches = résistance inverse = KΩ, c'est-à-dire les deux broches pour la source S et le drain D, le reste de la broche est la porte G. S'il s'agit d'un connecteur à 4 brochesMOSFET de jonction, l'autre pôle est l'utilisation d'un blindage mis à la terre.

Identification et tests de base des MOSFET

2.Déterminer la porte　

Avec le stylo noir du multimètre pour toucher le MOSFET une électrode aléatoire, le stylo rouge pour toucher les deux autres électrodes. Si les deux résistances mesurées sont faibles, ce qui indique que les deux sont des résistances positives, le tube appartient au MOSFET à canal N, le même contact de stylo noir est également la grille.

Le processus de production a décidé que le drain et la source du MOSFET sont symétriques et peuvent être échangés les uns avec les autres, et n'affecteront pas l'utilisation du circuit, le circuit est également normal à ce moment, il n'est donc pas nécessaire d'y aller à une distinction excessive. La résistance entre le drain et la source est de l’ordre de quelques milliers d’ohms. Impossible d'utiliser cette méthode pour déterminer la grille du type MOSFET à grille isolée. Étant donné que la résistance de l'entrée de ce MOSFET est extrêmement élevée et que la capacité interpolaire entre la grille et la source est très petite, la mesure d'aussi peu qu'une petite quantité de charge peut être effectuée au-dessus de la capacité interpolaire. capacité de la tension extrêmement élevée, le MOSFET sera très facile à endommager.

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3. Estimation de la capacité d'amplification des MOSFET

Lorsque le multimètre est réglé sur R × 100, utilisez le stylo rouge pour connecter la source S et utilisez le stylo noir pour connecter le drain D, ce qui revient à ajouter une tension de 1,5 V au MOSFET. A ce moment, l'aiguille indique la valeur de résistance entre le pôle DS. A ce moment, avec un doigt pour pincer la porte G, la tension induite par le corps comme signal d'entrée à la porte. En raison du rôle de l'amplification MOSFET, ID et UDS vont changer, ce qui signifie que la résistance entre le pôle DS a changé, nous pouvons observer que l'aiguille a une grande amplitude d'oscillation. Si la main pince la porte, le balancement de l'aiguille est très faible, c'est-à-dire que la capacité d'amplification du MOSFET est relativement faible ; si l'aiguille n'a pas la moindre action, cela indique que le MOSFET a été endommagé.