Parlez brièvement de la méthode de production d'un dispositif de dissipation thermique MOSFET haute puissance

Le dispositif de dissipation de chaleur comprend un boîtier à structure creuse 100 et une carte de circuit imprimé 101. La carte de circuit imprimé 101 est disposée dans le boîtier 100. Un certain nombre de MOSFET côte à côte 102 sont connectés aux deux extrémités de la carte de circuit imprimé 101 par l'intermédiaire de broches. Il comprend également un bloc de pression de dissipation thermique 103 pour comprimer le MOSFET 102 de sorte que le MOSFET 102 soit proche de la paroi interne du boîtier 100. Le bloc de pression de dissipation thermique 103 est traversé par un premier canal d'eau en circulation 104. Le premier canal d'eau en circulation 104 est disposé verticalement avec plusieurs MOSFET 102 côte à côte.
Le bloc de pression de dissipation thermique 103 presse le MOSFET 102 contre la paroi interne du boîtier 100, et une partie de la chaleur du MOSFET 102 est conduite vers le boîtier 100. Une autre partie de la chaleur est conduite vers le bloc de dissipation thermique 103, et le boîtier 100 dissipe la chaleur vers l'air. La chaleur du bloc de dissipation thermique 103 est évacuée par l'eau de refroidissement dans le premier canal d'eau en circulation 104, ce qui améliore l'effet de dissipation thermique du MOSFET 102. En même temps, une partie de la chaleur générée par d'autres composants dans le boîtier 100 est également conduit vers le bloc de pression de dissipation thermique 103. Par conséquent, le bloc de pression de dissipation thermique 103 peut réduire davantage la température dans le boîtier 100 et améliorer l'efficacité de fonctionnement et la durée de vie d'autres composants dans le boîtier 100 ; Le boîtier 100 a une structure creuse, de sorte que la chaleur ne s'accumule pas facilement dans le boîtier 100, empêchant ainsi la carte de circuit imprimé 101 de surchauffer et de griller. La paroi latérale du boîtier 100 est dotée d'un deuxième canal d'eau en circulation 105 parallèle au premier canal d'eau en circulation 104, et le deuxième canal d'eau en circulation 105 est proche du MOSFET 102 correspondant. La paroi externe du boîtier 100 est dotée d'une rainure 108 de dissipation thermique. La chaleur du boîtier 100 est principalement évacuée par l'eau de refroidissement dans le deuxième canal d'eau de circulation 105. Une autre partie de la chaleur est dissipée à travers la rainure de dissipation thermique 108, ce qui améliore l'effet de dissipation thermique du boîtier 100. Le bloc de pression de dissipation thermique 103 est pourvu de plusieurs trous filetés 107. Le bloc de pression de dissipation thermique 103 est relié de manière fixe au paroi intérieure du boîtier 100 au moyen de vis. Les vis sont vissées dans les trous filetés du bloc de pression de dissipation thermique 103 à partir des trous filetés sur les parois latérales du boîtier 100.

Dans la présente invention, une pièce de connexion 109 s'étend à partir du bord du bloc de pression de dissipation thermique 103. La pièce de connexion 109 est dotée d'un certain nombre de trous filetés 107. La pièce de connexion 109 est reliée de manière fixe à la paroi interne du boîtier 100. à travers des vis. Des barres de support 106 sont prévues des deux côtés de la paroi interne du boîtier 100 pour supporter la carte de circuit imprimé 101. Lorsque le bloc de pression de dissipation thermique 103 est relié de manière fixe à la paroi interne du boîtier 100, la carte de circuit imprimé 101 est pressée entre le parois latérales du bloc de pression de dissipation thermique 103 et des barres de support 106. Lors de l'installation, la carte de circuit imprimé 101 est d'abord placée sur la surface de la barre de support 106, et le le bas du bloc de pression de dissipation thermique 103 est pressé contre la surface supérieure de la carte de circuit imprimé 101. Ensuite, le bloc de pression de dissipation thermique 103 est fixé à la paroi interne du boîtier 100 avec des vis. Une rainure de serrage est formée entre le bloc de pression de dissipation thermique 103 et la barre de support 106 pour serrer la carte de circuit imprimé 101 afin de faciliter l'installation et le retrait de la carte de circuit imprimé 101. En même temps, la carte de circuit imprimé 101 est proche de la dissipation thermique. bloc de pression 103 . Par conséquent, la chaleur générée par la carte de circuit imprimé 101 est conduite vers le bloc de pression de dissipation thermique 103, et le bloc de pression de dissipation thermique 103 est emporté par l'eau de refroidissement dans le premier canal d'eau en circulation 104, empêchant ainsi la carte de circuit imprimé 101 de surchauffer. et brûlant. De préférence, un film isolant est disposé entre le MOSFET 102 et la paroi interne du boîtier 100, et un film isolant est disposé entre le bloc de pression de dissipation thermique 103 et le MOSFET 102.

Un dispositif de dissipation thermique MOSFET haute puissance comprend un boîtier à structure creuse 200 et une carte de circuit imprimé 202. La carte de circuit imprimé 202 est disposée dans le boîtier 200. Un certain nombre de MOSFET côte à côte 202 sont respectivement connectés aux deux extrémités du circuit. carte 202 à travers des broches, et comprend également un bloc de pression de dissipation thermique 203 pour comprimer les MOSFET 202 de sorte que les MOSFET 202 soient proches à la paroi intérieure du boîtier 200. Un premier canal d'eau en circulation 204 traverse le bloc de pression de dissipation thermique 203. Le premier canal d'eau en circulation 204 est disposé verticalement avec plusieurs MOSFET 202 côte à côte. La paroi latérale de la coque est dotée d'un tuyau de dissipation thermique 205 perpendiculaire à le premier canal d'eau en circulation 204, et une extrémité du tuyau de dissipation thermique 205 est dotée d'un corps de dissipation thermique 206. L'autre extrémité est fermée, et le Le corps de dissipation thermique 206 et le tuyau de dissipation thermique 205 forment une cavité interne fermée, et un réfrigérant est disposé dans la cavité interne. Le MOSFET 202 génère de la chaleur et vaporise le réfrigérant. Lors de la vaporisation, il absorbe la chaleur de l'extrémité chauffante (près de l'extrémité MOSFET 202), puis s'écoule de l'extrémité chauffante vers l'extrémité refroidissement (loin de l'extrémité MOSFET 202). Lorsqu'il rencontre du froid à l'extrémité de refroidissement, il libère de la chaleur vers la périphérie externe de la paroi du tube. Le liquide s'écoule ensuite vers l'extrémité chauffante, formant ainsi un circuit de dissipation thermique. Cette dissipation thermique par vaporisation et liquide est bien meilleure que la dissipation thermique des conducteurs thermiques classiques. Le corps de dissipation thermique 206 comprend un anneau de dissipation thermique 207 relié de manière fixe au tuyau de dissipation thermique 205 et une ailette de dissipation thermique 208 reliée de manière fixe à l'anneau de dissipation thermique 207 ; l'ailette de dissipation thermique 208 est également reliée de manière fixe à un ventilateur de refroidissement 209.

L'anneau de dissipation thermique 207 et le tuyau de dissipation thermique 205 ont une longue distance de montage, de sorte que l'anneau de dissipation thermique 207 peut transférer rapidement la chaleur dans le tuyau de dissipation thermique 205 au dissipateur thermique 208 pour obtenir une dissipation thermique rapide.