MOSFET, connu sous le nom de transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur, est un dispositif électronique largement utilisé qui appartient à un type de transistor à effet de champ (FET). La structure principale deun MOSFETse compose d'une grille métallique, d'une couche isolante d'oxyde (généralement du dioxyde de silicium SiO₂) et d'une couche semi-conductrice (généralement du silicium Si). Le principe de fonctionnement est de contrôler la tension de grille pour modifier le champ électrique à la surface ou à l'intérieur du semi-conducteur, contrôlant ainsi le courant entre la source et le drain.
MOSFETpeuvent être classés en deux types principaux : Canal NMOSFET(NMOS) et canal PMOSFET(PMOS). Dans NMOS, lorsque la tension de grille est positive par rapport à la source, des canaux conducteurs de type n se forment sur la surface du semi-conducteur, permettant aux électrons de circuler de la source vers le drain. Dans le PMOS, lorsque la tension de grille est négative par rapport à la source, des canaux conducteurs de type P se forment sur la surface du semi-conducteur, permettant aux trous de s'écouler de la source vers le drain.
MOSFETprésentent de nombreux avantages, tels qu'une impédance d'entrée élevée, un faible bruit, une faible consommation d'énergie et une facilité d'intégration, ils sont donc largement utilisés dans les circuits analogiques, les circuits numériques, la gestion de l'alimentation, l'électronique de puissance, les systèmes de communication et d'autres domaines. Dans les circuits intégrés,MOSFETsont les unités de base qui composent les circuits logiques CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Les circuits CMOS combinent les avantages du NMOS et du PMOS et se caractérisent par une faible consommation d'énergie, une vitesse élevée et une intégration élevée.
En outre,MOSFETpeuvent être classés en type d'amélioration et de type d'épuisement selon que leurs canaux conducteurs sont ou non préformés. Type d'améliorationMOSFETdans la tension de grille est nulle lorsque le canal n'est pas conducteur, il faut appliquer une certaine tension de grille pour former un canal conducteur ; tandis que le type d'épuisementMOSFETdans la tension de grille est nulle lorsque le canal est déjà conducteur, la tension de grille est utilisée pour contrôler la conductivité du canal.
En résumé,MOSFETest un transistor à effet de champ basé sur une structure semi-conductrice à oxyde métallique, qui régule le courant entre la source et le drain en contrôlant la tension de grille, et présente une large gamme d'applications et une valeur technique importante.