Comment fonctionnent les MOSFET ?

1, MOSFETintroduction

Abréviation de FieldEffect Transistor (FET)) titre MOSFET. par un petit nombre de porteurs pour participer à la conduction thermique, également appelé transistor multipolaire. Il appartient au mécanisme semi-supraconducteur de type maîtrise de tension. La résistance de sortie est élevée (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), faible bruit, faible consommation d'énergie, plage statique, facile à intégrer, pas de deuxième phénomène de panne, la tâche d'assurance de la mer et d'autres avantages ont maintenant changé le transistor bipolaire et le transistor à jonction de puissance des collaborateurs forts.

2, caractéristiques MOSFET

1, MOSFET est un dispositif de contrôle de tension, via l'ID de contrôle VGS (tension source de grille) (drain DC);

2, MOSFETLe pôle CC de sortie est petit, donc la résistance de sortie est grande.

3, c'est l'application d'un petit nombre de porteurs pour conduire la chaleur, il a donc une meilleure mesure de stabilité ;

4, il est constitué d'un chemin de réduction du coefficient de réduction électrique qui est plus petit que la triode est constituée d'un chemin de réduction du coefficient de réduction ;

5, capacité anti-irradiation MOSFET ;

6, en raison de l'absence d'activité défectueuse de la dispersion d'oligons provoquée par des particules de bruit dispersées, le bruit est donc faible.

3、Principe de tâche MOSFET

MOSFETLe principe de fonctionnement en une phrase est "drain - source entre l'ID circulant à travers le canal pour la grille et le canal entre la jonction pn formée par la polarisation inverse de l'ID maître de tension de grille", pour être précis, l'ID circule dans la largeur du chemin, c'est-à-dire la section transversale du canal, est le changement de la polarisation inverse de la jonction pn, qui produit une couche d'appauvrissement. La raison du contrôle de variation étendu. Dans la mer non saturée de VGS=0, puisque l'expansion de la couche de transition n'est pas très importante, selon l'ajout du champ magnétique de VDS entre le drain-source, certains électrons de la mer source sont attirés par le drain, c'est-à-dire qu'il existe une activité DC ID du drain vers la source. La couche modérée élargie de la porte au drain fait que tout le corps du canal forme un type de blocage, ID complet. Appelez ce formulaire un pincement. Symbolisant la couche de transition vers le canal d'une obstruction entière, plutôt que l'alimentation CC soit coupée.

Parce qu'il n'y a pas de libre mouvement des électrons et des trous dans la couche de transition, elle a des propriétés presque isolantes sous sa forme idéale et il est difficile pour le courant général de circuler. Mais ensuite, le champ électrique entre le drain et la source, en fait, les deux couches de transition contactent le drain et le pôle de grille près de la partie inférieure, car le champ électrique de dérive attire les électrons à grande vitesse à travers la couche de transition. L'intensité du champ de dérive est presque constante, produisant la plénitude de la scène ID.

Le circuit utilise une combinaison d'un MOSFET à canal P amélioré et d'un MOSFET à canal N amélioré. Lorsque l'entrée est faible, le MOSFET canal P est conducteur et la sortie est connectée à la borne positive de l'alimentation. Lorsque l'entrée est haute, le MOSFET canal N est conducteur et la sortie est connectée à la masse de l'alimentation. Dans ce circuit, le MOSFET à canal P et le MOSFET à canal N fonctionnent toujours dans des états opposés, avec leurs entrées et sorties de phase inversées.