Exigences du circuit pilote MOSFET

Avec les pilotes MOS actuels, il existe plusieurs exigences extraordinaires :

1. Application basse tension

Lorsque l'application de la commutation 5Valimentation, à l'heure actuelle, si l'utilisation de la structure de totem traditionnelle, parce que la triode n'a qu'une perte de haut en bas de 0,7 V, ce qui entraîne une porte de charge finale spécifique sur la tension n'est que de 4,3 V, à ce moment, l'utilisation de la tension de porte autorisée de 4,5VMOSFET il y a un certain degré de risque.La même situation se produit également dans l'application de 3 V ou d'une autre alimentation à découpage basse tension.

2. Application de tension large

La tension de manipulation n'a pas de valeur numérique, elle varie de temps en temps ou en raison d'autres facteurs. Cette variation rend la tension de commande fournie au MOSFET par le circuit PWM instable.

Afin de mieux sécuriser le MOSFET à des tensions de grille élevées, de nombreux MOSFET intègrent des régulateurs de tension pour imposer une limite à l'amplitude de la tension de grille. Dans ce cas, lorsque la tension du variateur dépasse la tension du régulateur, une perte importante de la fonction statique est provoquée.

Dans le même temps, si le principe de base du diviseur de tension à résistance est utilisé pour réduire la tension de grille, il arrivera que si la tension de commande est plus élevée, le MOSFET fonctionne bien, et si la tension de commande est réduite, la tension de grille ne l'est pas. Assez, ce qui entraîne une activation et une désactivation insuffisantes, ce qui augmentera la perte fonctionnelle.

Circuit de protection contre les surintensités MOSFET pour éviter les accidents de surintensité d'alimentation(1)

3. Applications double tension

Dans certains circuits de commande, la partie logique du circuit applique la tension de données typique de 5 V ou 3,3 V, tandis que la partie puissance de sortie applique 12 V ou plus, et les deux tensions sont connectées à la masse commune.

Cela montre clairement qu'un circuit d'alimentation doit être utilisé pour que le côté basse tension puisse raisonnablement manipuler le MOSFET haute tension, tandis que le MOSFET haute tension sera capable de faire face aux mêmes difficultés mentionnées en 1 et 2.

Dans ces trois cas, la construction du totem ne peut pas répondre aux exigences de sortie, et de nombreux circuits intégrés de pilote MOS existants ne semblent pas inclure de construction de limitation de tension de grille.