Contrairement à la triode à cristal à double rotation, on estime généralement que la fabrication duMOSFETla conduite n'utilise pas de flux électrique, mais nécessite seulement que la tension GS soit supérieure à une certaine valeur. C'est relativement simple à faire, nous avons principalement besoin d'un certain taux.
Pour la structure du MOSFET, on peut trouver dans le GS, GD, il y aura une certaine capacité parasite, et le pilotage du MOSFET, en fait, consiste à charger et décharger la capacité. Pour charger les condensateurs, nous avons seulement besoin d'un courant suffisant, car le condensateur dans le moment de charge est équivalent au condensateur en court-circuit, cette fois le courant instantané sera supérieur à la valeur de la situation générale. Par conséquent, nous sélectionnons ou concevons ensuite un programme de circuit de commande MOSFET, la première chose à faire attention à la taille du courant de court-circuit instantané peut être fournie.
Deuxièmement, le NMOS, qui est largement utilisé pour les entraînements haut de gamme, doit laisser la tension de grille dépasser la tension de source lorsqu'il conduit. MOSFET d'entraînement haut de gamme dans le temps de fonctionnement, la tension de source et la tension de drain sont les mêmes, donc cette fois la tension de grille doit être de 4 V ou 10 V supérieure à Vcc. Si, dans le même système, vous souhaitez obtenir une tension de grille supérieure à Vcc, vous devez vous spécialiser dans le contrôle du circuit de tension. De nombreux pilotes de moteur sont composés de pompes de charge, il convient de noter que nous devons choisir le condensateur externe approprié, de manière à obtenir un courant de court-circuit suffisant pour piloter le MOSFET.
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Heure de publication : 06 juillet 2024
