De nos jours, avec le développement rapide de la science et de la technologie, les semi-conducteurs sont utilisés dans de plus en plus d'industries, dans lesquelles lesMOSFET est également considéré comme un dispositif semi-conducteur très courant, l'étape suivante consiste à comprendre quelle est la différence entre les caractéristiques du transistor à cristal de puissance bipolaire et le MOSFET de puissance de sortie.
1, la façon de travailler
MOSFET est le travail requis pour promouvoir la tension de fonctionnement, les schémas de circuit expliquent relativement simple, favorisent la puissance des petits ; transistor à cristaux de puissance est un flux de puissance pour promouvoir la conception du programme est plus complexe, pour promouvoir la spécification du choix de difficile à promouvoir la spécification mettra en péril la vitesse de commutation totale de l'alimentation.
2, la vitesse de commutation totale de l'alimentation
Le MOSFET affecté par la température est faible, la puissance de sortie de commutation de l'alimentation peut garantir plus de 150 kHz ; Le transistor à cristal de puissance a très peu de temps de stockage de charge gratuite et limite sa vitesse de commutation d'alimentation, mais sa puissance de sortie ne dépasse généralement pas 50 KHz.
3、Zone de travail sécurisée
MOSFET de puissance n'a aucune base secondaire et la zone de travail sûre est large ; Le transistor à cristal de puissance a une situation de base secondaire, ce qui limite la zone de travail sûre.
4. Tension de fonctionnement requise pour le conducteur électrique
PouvoirMOSFET appartient au type haute tension, la tension de fonctionnement des exigences de conduction est plus élevée, il existe un coefficient de température positif ; transistor à cristal de puissance, quelle que soit la quantité d'argent qui résiste à la tension de fonctionnement requise, la tension de fonctionnement du conducteur électrique est inférieure et a un coefficient de température négatif.
5, le flux de puissance maximal
MOSFET de puissance dans le circuit d'alimentation à découpage du circuit d'alimentation du circuit d'alimentation en tant que commutateur d'alimentation, en fonctionnement et en fonctionnement stable au milieu, le flux de puissance maximal est inférieur ; et transistor à cristal de puissance en fonctionnement et travail stable au milieu, le flux de puissance maximum est plus élevé.
6. Coût du produit
Le coût du MOSFET de puissance est légèrement plus élevé ; le coût de la triode à cristal de puissance est légèrement inférieur.
7、Effet de pénétration
Le MOSFET de puissance n'a aucun effet de pénétration ; Le transistor à cristal de puissance a un effet de pénétration.
8、Perte de commutation
La perte de commutation MOSFET n'est pas importante ; la perte de commutation du transistor à cristal de puissance est relativement importante.
En outre, la grande majorité des MOSFET de puissance ont intégré une diode d'absorption des chocs, tandis que le transistor à cristal de puissance bipolaire n'a presque pas de diode d'absorption des chocs intégrée. La diode d'absorption des chocs MOSFET peut également être un aimant universel pour la commutation des circuits d'alimentation, des bobines magnétiques pour donner l'angle du facteur de puissance. du canal de sécurité du flux de puissance. Tube à effet de champ dans la diode absorbant les chocs dans tout le processus d'arrêt avec la diode générale comme existence d'un flux de courant de récupération inverse, à ce moment la diode d'une part pour prendre le milieu positif du pôle drain-source d'un substantiel d'autre part, l'augmentation des exigences de travail de la tension de fonctionnement et le flux de courant de récupération inverse.
Heure de publication : 29 mai 2024
