Le MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) possède trois pôles qui sont :
Grille:G, la grille d'un MOSFET équivaut à la base d'un transistor bipolaire et sert à contrôler la conduction et la coupure du MOSFET. Dans les MOSFET, la tension de grille (Vgs) détermine si un canal conducteur est formé entre la source et le drain, ainsi que la largeur et la conductivité du canal conducteur. La grille est constituée de matériaux tels que du métal, du polysilicium, etc., et est entourée d'une couche isolante (généralement du dioxyde de silicium) pour empêcher le courant de circuler directement dans ou hors de la grille.
Source:S, la source d'un MOSFET équivaut à l'émetteur d'un transistor bipolaire et c'est là que circule le courant. Dans les MOSFET à canal N, la source est généralement connectée à la borne négative (ou masse) de l'alimentation, tandis que dans les MOSFET à canal P, la source est connectée à la borne positive de l'alimentation. La source est l’un des éléments clés qui forment le canal conducteur, qui envoie des électrons (canal N) ou des trous (canal P) vers le drain lorsque la tension de grille est suffisamment élevée.
Vidange:D, le drain d'un MOSFET est équivalent au collecteur d'un transistor bipolaire et c'est là que le courant circule. Le drain est généralement connecté à la charge et agit comme une sortie de courant dans le circuit. Dans un MOSFET, le drain est l'autre extrémité du canal conducteur, et lorsque la tension de grille contrôle la formation d'un canal conducteur entre la source et le drain, le courant peut circuler de la source à travers le canal conducteur jusqu'au drain.
En un mot, la grille d'un MOSFET est utilisée pour contrôler l'activation et la désactivation, la source est l'endroit où le courant sort et le drain est l'endroit où le courant entre. Ensemble, ces trois pôles déterminent l'état de fonctionnement et les performances du MOSFET. .
Heure de publication : 26 septembre 2024
