Des paramètres tels que la capacité de grille et la résistance à l'état passant d'un MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur) sont des indicateurs importants pour évaluer ses performances. Voici une explication détaillée de ces paramètres :
I. Capacité de porte
La capacité de grille comprend principalement la capacité d'entrée (Ciss), la capacité de sortie (Coss) et la capacité de transfert inverse (Crss, également connue sous le nom de capacité de Miller).
Capacité d'entrée (Ciss) :
DÉFINITION : La capacité d'entrée est la capacité totale entre la grille et la source et le drain, et se compose de la capacité de la source de grille (Cgs) et de la capacité du drain de grille (Cgd) connectées en parallèle, c'est-à-dire Ciss = Cgs + Cgd.
Fonction : La capacité d'entrée affecte la vitesse de commutation du MOSFET. Lorsque la capacité d'entrée est chargée à une tension seuil, l'appareil peut être allumé ; déchargé à une certaine valeur, l'appareil peut être éteint. Par conséquent, le circuit de pilotage et Ciss ont un impact direct sur le délai d'activation et de désactivation de l'appareil.
Capacité de sortie (Coss) :
Définition : La capacité de sortie est la capacité totale entre le drain et la source, et se compose de la capacité drain-source (Cds) et de la capacité grille-drain (Cgd) en parallèle, c'est-à-dire Coss = Cds + Cgd.
Rôle : Dans les applications de commutation douce, Coss est très important car il peut provoquer une résonance dans le circuit.
Capacité de transmission inverse (Crss) :
Définition : La capacité de transfert inverse est équivalente à la capacité de drain de grille (Cgd) et est souvent appelée capacité de Miller.
Rôle : la capacité de transfert inverse est un paramètre important pour les temps de montée et de descente du commutateur, et elle affecte également le temps de retard de désactivation. La valeur de la capacité diminue à mesure que la tension drain-source augmente.
II. Résistance à l'état passant (Rds(on))
Définition : La résistance à l'état passant est la résistance entre la source et le drain d'un MOSFET à l'état passant dans des conditions spécifiques (par exemple, courant de fuite spécifique, tension de grille et température).
Facteurs d'influence : La résistance à l'état passant n'est pas une valeur fixe, elle est affectée par la température, plus la température est élevée, plus le Rds(on) est élevé. De plus, plus la tension de tenue est élevée, plus la structure interne du MOSFET est épaisse, plus la résistance à l'état passant correspondante est élevée.
Importance : lors de la conception d'une alimentation à découpage ou d'un circuit pilote, il est nécessaire de prendre en compte la résistance à l'état passant du MOSFET, car le courant circulant à travers le MOSFET consommera de l'énergie sur cette résistance, et cette partie de l'énergie consommée est appelée sur- perte de résistance. La sélection d'un MOSFET avec une faible résistance à l'état passant peut réduire la perte de résistance à l'état passant.
Troisièmement, d'autres paramètres importants
En plus de la capacité de grille et de la résistance à l'état passant, le MOSFET possède d'autres paramètres importants tels que :
V(BR)DSS (tension de claquage de la source de vidange) :Tension drain-source à laquelle le courant circulant à travers le drain atteint une valeur spécifique à une température spécifique et avec la source de grille en court-circuit. Au dessus de cette valeur, le tube peut être endommagé.
VGS(th) (tension de seuil) :Tension de grille nécessaire pour qu'un canal conducteur commence à se former entre la source et le drain. Pour les MOSFET à canal N standard, VT est d'environ 3 à 6 V.
ID (courant de vidange continu maximum) :Courant continu continu maximum pouvant être autorisé par la puce à la température de jonction nominale maximale.
IDM (courant de drainage pulsé maximum) :Reflète le niveau de courant pulsé que l'appareil peut gérer, le courant pulsé étant beaucoup plus élevé que le courant continu continu.
PD (dissipation de puissance maximale) :l'appareil peut dissiper la consommation d'énergie maximale.
En résumé, la capacité de grille, la résistance à l'état passant et d'autres paramètres d'un MOSFET sont essentiels à ses performances et à son application, et doivent être sélectionnés et conçus en fonction de scénarios et d'exigences d'application spécifiques.
Heure de publication : 18 septembre 2024
