Dans le programme de conception d'interrupteurs d'alimentation et d'autres systèmes d'alimentation électrique, les concepteurs de programmes accorderont plus d'attention à un certain nombre de paramètres majeurs duMOSFET, comme une résistance marche-arrêt, une tension de fonctionnement plus élevée, un flux de puissance plus important. Bien que cet élément soitcritique, en tenant compte d'un endroit inapproprié, le circuit d'alimentation ne pourra pas fonctionner correctement, mais en fait, cela n'est que la première étape terminée,les MOSFET ses propres paramètres parasites sont considérés comme la chose importante pour mettre en danger le circuit d'alimentation.
Pilotage immédiat de MOSFET avec des circuits intégrés d'alimentation
Un bon circuit pilote MOSFET comporte les dispositions suivantes :
(1) Au moment où le commutateur est activé, le circuit pilote doit être capable de produire un courant très important, de sorte que la tension de fonctionnement inter-pôle MOSFET grille-source augmente rapidement jusqu'à la valeur requise, pour garantir que le commutateur peut être tourné. s'allume rapidement et il n'y aura pas d'oscillations haute fréquence sur le front montant.
(2) période de mise sous et hors tension de l'interrupteur d'alimentation, le circuit d'entraînement peut garantir que la tension de fonctionnement interpolaire de la source de grille MOSFET est maintenue pendant une longue période et une conduction efficace.
(3) Fermez un moment le circuit d'entraînement, peut fournir un canal à faible impédance pour la tension de fonctionnement de la capacité de la source de la porte MOSFET entre la vidange rapide, afin de garantir que l'interrupteur peut être rapidement éteint.
(4) Construction simple et fiable de circuits d'entraînement avec une faible usure.
(5) Selon la situation spécifique pour effectuer la protection.
Dans l'alimentation du module de commande, le plus courant est le circuit intégré d'alimentation qui pilote directement le MOSFET. Application, il convient de prêter attention au plus grand entraînement, à la valeur la plus élevée du flux de puissance, à la capacité de distribution MOSFET 2 paramètres principaux. La capacité de commande du circuit intégré de puissance, la taille de la capacité de distribution MOS et la valeur de résistance de la résistance de commande mettront en péril le taux de commutation de puissance du MOSFET. Si la sélection de la capacité de distribution MOSFET est relativement grande, la capacité de commande interne du circuit intégré d'alimentation n'est pas suffisante, elle doit être dans le circuit de commande pour améliorer la capacité de commande, appliquez souvent le circuit d'alimentation du totem pour améliorer la capacité de commande du circuit intégré d'alimentation. .
Heure de publication : 25 juillet 2024
