Les MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) sont souvent considérés comme des dispositifs entièrement contrôlés. En effet, l'état de fonctionnement (activé ou désactivé) du MOSFET est entièrement contrôlé par la tension de grille (Vgs) et ne dépend pas du courant de base comme dans le cas d'un transistor bipolaire (BJT).
Dans un MOSFET, la tension de grille Vgs détermine si un canal conducteur est formé entre la source et le drain, ainsi que la largeur et la conductivité du canal conducteur. Lorsque Vgs dépasse la tension de seuil Vt, le canal conducteur est formé et le MOSFET passe à l'état passant ; lorsque Vgs tombe en dessous de Vt, le canal conducteur disparaît et le MOSFET est à l'état de coupure. Ce contrôle est entièrement contrôlé car la tension de grille peut contrôler indépendamment et précisément l'état de fonctionnement du MOSFET sans dépendre d'autres paramètres de courant ou de tension.
En revanche, l'état de fonctionnement des dispositifs semi-contrôlés (par exemple les thyristors) n'est pas seulement affecté par la tension ou le courant de commande, mais également par d'autres facteurs (par exemple la tension d'anode, le courant, etc.). En conséquence, les dispositifs entièrement contrôlés (par exemple les MOSFET) offrent généralement de meilleures performances en termes de précision et de flexibilité de contrôle.
En résumé, les MOSFET sont des dispositifs entièrement contrôlés dont l'état de fonctionnement est entièrement contrôlé par la tension de grille et présentent les avantages d'une haute précision, d'une grande flexibilité et d'une faible consommation d'énergie.
Heure de publication : 20 septembre 2024
