Transistor à effet de champ abrégé enMOSFET.Il existe deux types principaux : les tubes à effet de champ à jonction et les tubes à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique. Le MOSFET est également connu comme un transistor unipolaire avec une majorité de porteurs impliqués dans la conductivité. Ce sont des dispositifs semi-conducteurs commandés en tension. En raison de sa résistance d'entrée élevée, de son faible bruit, de sa faible consommation d'énergie et d'autres caractéristiques, ce qui en fait un concurrent sérieux des transistors bipolaires et des transistors de puissance.
I. Principaux paramètres du MOSFET
1, paramètres cc
Le courant de drain de saturation peut être défini comme le courant de drain correspondant au moment où la tension entre grille et source est égale à zéro et la tension entre drain et source est supérieure à la tension de pincement.
Tension de pincement UP : L'UGS doit réduire l'ID à un faible courant lorsque l'UDS est certain ;
Tension d'activation UT : UGS doit amener l'ID à une certaine valeur lorsque l'UDS est certain.
2、Paramètres AC
Transconductance basse fréquence gm : Décrit l'effet de contrôle de la tension de grille et de source sur le courant de drain.
Capacité interpolaire : la capacité entre les trois électrodes du MOSFET, plus la valeur est petite, meilleures sont les performances.
3、Paramètres limites
Drain, tension de claquage de la source : lorsque le courant de drain augmente fortement, il produira un claquage par avalanche lorsque l'UDS.
Tension de claquage de la grille : fonctionnement normal du tube à effet de champ de jonction, grille et source entre la jonction PN dans l'état de polarisation inverse, le courant est trop important pour produire une claquage.
II. Caractéristiques deMOSFET
Le MOSFET a une fonction d'amplification et peut former un circuit amplifié. Par rapport à une triode, elle présente les caractéristiques suivantes.
(1) Le MOSFET est un dispositif contrôlé en tension et le potentiel est contrôlé par UGS ;
(2) Le courant à l’entrée du MOSFET est extrêmement faible, sa résistance d’entrée est donc très élevée ;
(3) Sa stabilité en température est bonne car elle utilise des porteurs majoritaires pour la conductivité ;
(4) Le coefficient d'amplification de tension de son circuit d'amplification est inférieur à celui d'une triode ;
(5) Il est plus résistant aux radiations.
Troisième,MOSFET et comparaison des transistors
(1) la source MOSFET, la grille, le drain et la source triode, la base, le pôle de point de consigne correspondent au rôle de similaire.
(2) MOSFET est un dispositif à courant contrôlé en tension, le coefficient d'amplification est faible, la capacité d'amplification est faible ; La triode est un dispositif à tension contrôlée par le courant, la capacité d'amplification est forte.
(3) La porte MOSFET ne prend fondamentalement pas de courant ; et le travail en triode, la base absorbera un certain courant. Par conséquent, la résistance d’entrée de la grille MOSFET est supérieure à la résistance d’entrée de la triode.
(4) Le processus conducteur du MOSFET a la participation du polytron, et la triode a la participation de deux types de porteurs, le polytron et l'oligotron, et sa concentration en oligotron est grandement affectée par la température, le rayonnement et d'autres facteurs, par conséquent, le MOSFET a une meilleure stabilité en température et une meilleure résistance aux radiations que le transistor. MOSFET doit être sélectionné lorsque les conditions environnementales changent beaucoup.
(5) Lorsque le MOSFET est connecté au métal source et au substrat, la source et le drain peuvent être échangés et les caractéristiques ne changent pas beaucoup, tandis que lorsque le collecteur et l'émetteur du transistor sont échangés, les caractéristiques sont différentes et la valeur β est réduite.
(6) Le facteur de bruit du MOSFET est faible.
(7) Le MOSFET et la triode peuvent être composés d'une variété de circuits amplificateurs et de circuits de commutation, mais le premier consomme moins d'énergie, une stabilité thermique élevée, une large plage de tension d'alimentation, il est donc largement utilisé dans les applications à grande et ultra-grande échelle. circuits intégrés à grande échelle.
(8) La résistance à l'état passant de la triode est grande et la résistance à l'état passant du MOSFET est faible, de sorte que les MOSFET sont généralement utilisés comme commutateurs avec un rendement plus élevé.
Heure de publication : 16 mai 2024
