Circuit anti-retour MOSFET

Tout d'abord, le principe de base du circuit anti-retour MOSFET

Circuit anti-retour MOSFET utilisant les caractéristiques de commutation du MOSFET, en contrôlant la tension de grille (G) pour réaliser l'activation et la désactivation du circuit. Lorsque la polarité de l'alimentation est correcte, la tension de grille met le MOSFET en état de conduction, le courant peut circuler normalement ; Lorsque la polarité de l'alimentation est inversée, la tension de grille ne peut pas assurer la conduction du MOSFET, coupant ainsi le circuit.

Deuxièmement, la réalisation spécifique du circuit anti-retour MOSFET

1. Circuit anti-retour MOSFET canal N

Les MOSFET à canal N sont généralement utilisés pour réaliser des circuits anti-retour. Dans le circuit, la source (S) du MOSFET à canal N est connectée à la borne négative de la charge, le drain (D) est connecté à la borne positive de l'alimentation et la grille (G) est connectée à la borne négative de l'alimentation via une résistance ou contrôlée par un circuit de commande.

Connexion directe : la borne positive de l'alimentation est connectée à D et la borne négative est connectée à S. À ce moment, la résistance fournit la tension de source de grille (VGS) pour le MOSFET, et lorsque VGS est supérieur au seuil tension (Vth) du MOSFET, le MOSFET conduit et le courant circule de la borne positive de l'alimentation vers la charge à travers le MOSFET.

En cas d'inversion : la borne positive de l'alimentation est connectée à S et la borne négative est connectée à D. À ce moment, le MOSFET est dans un état de coupure et le circuit est déconnecté pour protéger la charge contre les dommages car la tension de grille n'est pas capable de former un VGS suffisant pour faire conduire le MOSFET (VGS peut être inférieur à 0 ou bien inférieur à Vth).

2. Rôle des composants auxiliaires

Résistance : utilisée pour fournir la tension de source de grille pour le MOSFET et limiter le courant de grille afin d'éviter les dommages causés par une surintensité de grille.

Régulateur de tension : un composant optionnel utilisé pour empêcher la tension de la source de grille d'être trop élevée et de faire tomber le MOSFET.

Diode parasite : une diode parasite (diode corporelle) existe à l'intérieur du MOSFET, mais son effet est généralement ignoré ou évité par la conception du circuit afin d'éviter son effet néfaste dans les circuits anti-retour.

Troisièmement, les avantages du circuit anti-retour MOSFET

 

Faible perte : la résistance à l'état passant du MOSFET est faible, la tension à l'état passant est réduite, donc la perte du circuit est faible.

 

 

Haute fiabilité : la fonction anti-retour peut être réalisée grâce à une conception de circuit simple, et le MOSFET lui-même a un haut degré de fiabilité.

 

Flexibilité : différents modèles de MOSFET et conceptions de circuits peuvent être sélectionnés pour répondre aux différentes exigences des applications.

 

Précautions

 

Dans la conception du circuit anti-retour MOSFET, vous devez vous assurer que la sélection des MOSFET répond aux exigences de l'application, notamment la tension, le courant, la vitesse de commutation et d'autres paramètres.

 

Il est nécessaire de prendre en compte l'influence d'autres composants du circuit, tels que la capacité parasite, l'inductance parasite, etc., afin d'éviter des effets néfastes sur les performances du circuit.

 

Dans les applications pratiques, des tests et des vérifications adéquats sont également nécessaires pour garantir la stabilité et la fiabilité du circuit.

 

En résumé, le circuit anti-retour MOSFET est un système de protection d'alimentation simple, fiable et à faibles pertes, largement utilisé dans une variété d'applications nécessitant la prévention de l'inversion de polarité de l'alimentation.