À propos de la théorie de base de la mise en parallèle des transistors et des MOSFET : Premièrement, les transistors ont une valeur de température exponentielle négative, c'est-à-dire que lorsque la température du transistor lui-même augmente, la résistance à l'état passant devient plus petite. Deuxièmement, contrairement aux transistors, les MOSFET ont une valeur de température exponentielle positive, ce qui signifie que lorsque la température augmente, la résistance à l'état passant augmente lentement.
Comparés aux transistors, les MOSFET sont en réalité plus adaptés pour égaliser le courant dans les circuits de puissance parallèles. Ainsi, lorsque le courant dans le circuit d'alimentation est relativement important, nous recommandons généralement l'utilisation de MOSFET parallèles pour le shunt. Lorsque nous choisissons des MOSFET pour égaliser le courant, et que d'une manière le courant dépasse le courant du MOSFET dans l'autre sens, le courant du MOSFET provoqué par la chaleur des grands MOSFET, ce qui entraînera une résistance marche-arrêt devient plus grande. , réduisant la baisse du courant ; MOSFET basés sur la différence de courant pour s'ajuster constamment et enfin réaliser l'équilibre actuel entre les deuxMOSFET.
Une des choses que nous devons noter : les transistors peuvent également être connectés en parallèle pour compléter le flux de marchandises à courant élevé, mais vous devez alors également vous baser sur la base de la résistance de commande en série pour gérer l'équilibre actuel de chacun. transistor parallèle au milieu du problème.
Problèmes courants de connexion parallèle de transistors :
(1), la grille de chaque transistor ne peut pas être directement connectée à chaque résistance de pilotage en série pour effectuer le pilotage, afin d'éviter les oscillations.
(2), pour manipuler chaque transistor(MOSFET)le temps d'ouverture et le temps de fermeture pour maintenir la cohérence, car s'ils ne sont pas cohérents, la première ouverture ou fermeture du pipeline sera détruite en raison d'une pénétration excessive du courant.
(3), et enfin, nous aimerions pouvoir mettre la source de chaque transistor en série avec une résistance d'égalisation, bien sûr, ce n'est pas nécessaire, juste au cas où.
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Heure de publication : 05 juillet 2024
