Il existe de nombreux types de paramètres principaux deMOSFET, qui contiennent le courant continu, les paramètres de courant alternatif et les paramètres limites, mais l'application générale ne doit se soucier que des paramètres de base suivants : état de saturation du courant de la source de fuite, tension de pincement IDSS Up, transconductance gm, tension de claquage de la source de fuite bourgeons, la plus grande perte de puissance de sortie PDSM et le plus grand courant de source de fuite IDSM.
1. Courant de source de fuite saturé
Le courant drain-source saturé IDSS signifie le courant drain-source à une tension de grille UGS = 0 dans les MOSFET à grille isolée de type à jonction ou à appauvrissement.
2. Tension de coupure
La tension de pincement UP désigne la tension de fonctionnement de la tension de grille dans une grille à couche isolée de type jonction ou à appauvrissement.MOSFETcela fait que la source de drainage est simplement coupée. Découvrez ce que signifient réellement IDSS et UP.
3. Allumez la tension
La tension d'activation UT désigne la tension de fonctionnement de la tension de grille dans un MOSFET à grille isolée renforcée de sorte que l'interconnexion drain-source soit juste activée. Découvrez ce que signifie réellement UT.
4. Guidage croisé
Le transguide gm est utilisé pour indiquer la capacité de la tension grille-source à contrôler le courant de drain, c'est-à-dire le rapport entre la variation du courant de drain et la variation de la tension grille-source.
5. Perte maximale de puissance de sortier
La puissance de sortie de perte maximale appartient également au paramètre limite, ce qui signifie la puissance de perte maximale drain-source qui peut être autorisée lorsque les performances duMOSFETest normal et non affecté. Lorsque nous utilisons le MOSFET, sa perte fonctionnelle doit être inférieure à celle du PDSM et une certaine valeur.
6. Courant de source de fuite maximal
Le courant drain-source maximum, IDSM, est également un paramètre limitant, c'est-à-dire le courant maximum autorisé à passer entre le drain et la source d'un MOSFET pendant le fonctionnement normal, et ne doit pas être dépassé lorsque le MOSFET est en fonctionnement.
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Heure de publication : 07 juillet 2024
