Un circuit de maintien MOSFET qui comprend des résistances R1-R6, des condensateurs électrolytiques C1-C3, un condensateur C4, une triode PNP VD1, des diodes D1-D2, un relais intermédiaire K1, un comparateur de tension, une puce intégrée à double base de temps NE556 et un MOSFET Q1, avec la broche n°6 de la puce intégrée à double base de temps NE556 servant d'entrée de signal, et une extrémité de la résistance R1 étant connectée en même temps à la broche 6 de la puce intégrée à double base de temps NE556 est utilisée comme entrée de signal, une extrémité de la résistance R1 est connectée à la broche 14 de la puce intégrée à base double temps NE556, une extrémité de la résistance R2, une extrémité de la résistance R4, l'émetteur du transistor PNP VD1, le drain du MOSFET Q1 et le courant continu. alimentation, et l'autre extrémité de la résistance R1 est connectée à la broche 1 de la puce intégrée à base double temps NE556, à la broche 2 de la puce intégrée à base double temps NE556, à la capacité électrolytique positive du condensateur C1 et au relais intermédiaire. K1 contact normalement fermé K1-1, l'autre extrémité du relais intermédiaire K1 contact normalement fermé K1-1, le pôle négatif du condensateur électrolytique C1 et une extrémité du condensateur C3 sont connectés à la masse de l'alimentation, l'autre extrémité du condensateur C3 est connecté à la broche 3 de la puce intégrée à double base de temps NE556, la broche 4 de la puce intégrée à double base de temps NE556 est connectée au pôle positif du condensateur électrolytique C2 et à l'autre extrémité de la résistance R2 en même temps, et le le pôle négatif du condensateur électrolytique C2 est connecté à la masse de l'alimentation, et le pôle négatif du condensateur électrolytique C2 est connecté à la masse de l'alimentation. Le pôle négatif de C2 est connecté à la masse de l'alimentation, la broche 5 de la puce intégrée à double base de temps NE556 est connectée à une extrémité de la résistance R3, l'autre extrémité de la résistance R3 est connectée à l'entrée de phase positive du comparateur de tension. , l'entrée de phase négative du comparateur de tension est connectée au pôle positif de la diode D1 et à l'autre extrémité de la résistance R4 en même temps, le pôle négatif de la diode D1 est connecté à la masse de l'alimentation, et la sortie de le comparateur de tension est connecté à l'extrémité de la résistance R5, l'autre extrémité de la résistance R5 est connectée au triplex PNP. La sortie du comparateur de tension est connectée à une extrémité de la résistance R5, l'autre extrémité de la résistance R5 est connectée à la base du transistor PNP VD1, le collecteur du transistor PNP VD1 est connecté au pôle positif de la diode D2, le pôle négatif de la diode D2 est connecté à l'extrémité de la résistance R6, à l'extrémité du condensateur C4, et à la grille du MOSFET en même temps, à l'autre extrémité de la résistance R6, à l'autre extrémité du le condensateur C4, et l'autre extrémité du relais intermédiaire K1 sont tous connectés à la terre d'alimentation et l'autre extrémité du relais intermédiaire K1 est connectée à la source de la source duMOSFET.
Circuit de rétention MOSFET, lorsque A fournit un signal de déclenchement faible, à ce moment-là, l'ensemble de puces intégrées à double base de temps NE556, la puce intégrée à double base de temps NE556 broche 5 produit un niveau élevé, un niveau élevé dans l'entrée de phase positive du comparateur de tension, le négatif entrée de phase du comparateur de tension par la résistance R4 et la diode D1 pour fournir une tension de référence, à ce moment, le niveau haut de sortie du comparateur de tension, le niveau haut pour rendre conductrice la Triode VD1, le courant circulant du collecteur de la triode VD1 charge le condensateur C4 à travers la diode D2, et en même temps, le MOSFET Q1 conduit, à ce moment, la bobine du relais intermédiaire K1 est absorbée, et le relais intermédiaire K1, le contact normalement fermé K 1-1 est déconnecté, et après l'intermédiaire Le contact normalement fermé du relais K1 K 1-1 est déconnecté, l'alimentation CC aux pieds 1 et 2 de la puce intégrée de base double temps NE556 fournit la tension d'alimentation est stockée jusqu'à ce que la tension sur la broche 1 et la broche 2 du double- La puce intégrée à base de temps NE556 est chargée à 2/3 de la tension d'alimentation, la puce intégrée à base double temps NE556 est automatiquement réinitialisée et la broche 5 de la puce intégrée à base double temps NE556 est automatiquement restaurée à un niveau bas, et le les circuits suivants ne fonctionnent pas, alors qu'à ce moment, le condensateur C4 est déchargé pour maintenir la conduction MOSFET Q1 jusqu'à la fin de la décharge de la capacité C4 et la bobine du relais intermédiaire K1 est libérée, le relais intermédiaire K1 contact normalement fermé K 11 fermé, à ce moment-là le temps à travers le relais intermédiaire fermé K1 contact normalement fermé K 1-1 sera la puce intégrée à double base de temps NE556 1 pied et 2 pieds de la libération de tension, pour la prochaine fois à la puce intégrée à double base de temps NE556 broche 6 pour fournir un faible signal de déclenchement pour préparer la puce intégrée NE556 à double base de temps.
La structure du circuit de cette application est simple et nouvelle, lorsque la puce intégrée à double base de temps NE556 broche 1 et la broche 2 se chargent à 2/3 de la tension d'alimentation, la puce intégrée à double base de temps NE556 peut être automatiquement réinitialisée, la puce intégrée à double base de temps La broche 5 du NE556 revient automatiquement à un niveau bas, de sorte que les circuits suivants ne fonctionnent pas, de manière à arrêter automatiquement la charge du condensateur C4, et après avoir arrêté la charge du condensateur C4 maintenu par le MOSFET Q1 conducteur, cette application peut rester conductrice en continuMOSFETQ1 conducteur pendant 3 secondes.
Il comprend les résistances R1-R6, les condensateurs électrolytiques C1-C3, le condensateur C4, le transistor PNP VD1, les diodes D1-D2, le relais intermédiaire K1, le comparateur de tension, la puce intégrée NE556 à double base de temps et le MOSFET Q1, la broche 6 de la base de temps double intégrée. La puce NE556 est utilisée comme entrée de signal, et une extrémité de la résistance R1 est connectée à la broche 14 de la puce intégrée à double base de temps NE556, à la résistance R2, à la broche 14 de la puce intégrée à double base de temps NE556 et à la broche 14 de la puce intégrée à double base de temps NE556. puce intégrée de base NE556, et la résistance R2 est connectée à la broche 14 de la puce intégrée de base double NE556. broche 14 de la puce intégrée à base double NE556, une extrémité de la résistance R2, une extrémité de la résistance R4, transistor PNP
Quel genre de principe de fonctionnement ?
Lorsque A fournit un signal de déclenchement faible, alors l'ensemble de puces intégrées à base double temps NE556, la puce intégrée à base double temps NE556 broche 5 produit un niveau élevé, un niveau élevé dans l'entrée de phase positive du comparateur de tension, l'entrée de phase négative du comparateur de tension par la résistance R4 et la diode D1 pour fournir la tension de référence, cette fois, le niveau haut de sortie du comparateur de tension, le niveau haut de conduction du transistor VD1, le courant circule du collecteur du transistor VD1 à travers la diode D2 vers le condensateur C4 charge, à ce moment, le relais intermédiaire K1 d'aspiration de la bobine, le relais intermédiaire K1 d'aspiration de la bobine. Le courant circulant du collecteur du transistor VD1 est chargé sur le condensateur C4 à travers la diode D2, et en même temps,MOSFETQ1 conduit, à ce moment, la bobine du relais intermédiaire K1 est aspirée, et le contact normalement fermé K 1-1 du relais intermédiaire K1 est déconnecté, et après que le contact normalement fermé K 1-1 du relais intermédiaire K1 soit déconnecté, l'alimentation La tension d'alimentation fournie par la source d'alimentation CC aux 1 et 2 pieds de la puce intégrée à double base de temps NE556 est stockée jusqu'à ce que la tension sur la broche 1 et la broche 2 de la puce intégrée à double base de temps NE556 soit chargée aux 2/3 de La tension d'alimentation, la puce intégrée à base double temps NE556 est automatiquement réinitialisée, et la broche 5 de la puce intégrée à base double temps NE556 est automatiquement restaurée à un niveau bas, et les circuits suivants ne fonctionnent pas, et à ce moment, le le condensateur C4 est déchargé pour maintenir la conduction MOSFET Q1 jusqu'à la fin de la décharge du condensateur C4, et la bobine du relais intermédiaire K1 est libérée, et le contact normalement fermé K1-1 du relais intermédiaire K1 est déconnecté. Relais K1 contact normalement fermé K 1-1 fermé, cette fois via le relais intermédiaire fermé K1 contact normalement fermé K 1-1 sera une puce intégrée de base à double temps NE556 1 pieds et 2 pieds sur le déclencheur de tension, pour la prochaine fois la puce intégrée à base double temps NE556 broche 6 pour fournir un signal de déclenchement pour régler à un niveau bas, afin de préparer l'ensemble de puces intégrées à base double temps NE556.
Heure de publication : 19 avril 2024
