Les MOSFET (Field Effect Tubes) ont généralement trois broches, Gate (G en abrégé), Source (S en abrégé) et Drain (D en abrégé). Ces trois broches peuvent être distinguées des manières suivantes :
I. Identification des broches
Porte (G) :Il est généralement étiqueté « G » ou peut être identifié en mesurant la résistance des deux autres broches, car la porte a une très haute impédance lorsqu'elle n'est pas alimentée et n'est pas connectée de manière significative aux deux autres broches.
Source (S):Habituellement étiquetée « S » ou « S2 », il s’agit de la broche d’entrée de courant et est généralement connectée à la borne négative du MOSFET.
Vidange (D):Habituellement étiqueté « D », il s’agit de la broche de passage du courant et elle est connectée à la borne positive du circuit externe.
II. Fonction de broche
Porte (G) :C'est la broche clé qui contrôle la commutation du MOSFET, en contrôlant la tension à la grille pour contrôler l'activation et la désactivation du MOSFET. Lorsqu'elle n'est pas alimentée, l'impédance de la grille est généralement très élevée, sans connexion significative avec les deux autres broches.
Source (S):est la broche d'entrée de courant et est généralement connectée à la borne négative du MOSFET. Dans NMOS, la source est généralement mise à la terre (GND) ; en PMOS, la source peut être connectée à une alimentation positive (VCC).
Vidange (D):Il s'agit de la broche de sortie de courant et elle est connectée à la borne positive du circuit externe. Dans NMOS, le drain est connecté à l'alimentation positive (VCC) ou à la charge ; dans PMOS, le drain est connecté à la terre (GND) ou à la charge.
III. Méthodes de mesure
Utilisez un multimètre :
Réglez le multimètre sur le réglage de résistance approprié (par exemple R x 1k).
Utilisez la borne négative du multimètre connectée à n'importe quelle électrode, l'autre stylo pour contacter tour à tour les deux pôles restants, afin de mesurer sa résistance.
Si les deux valeurs de résistance mesurées sont approximativement égales, le contact négatif du stylo pour la grille (G), car la grille et les deux autres broches entre la résistance est généralement très grand.
Ensuite, le multimètre sera composé sur l'engrenage R × 1, le stylo noir connecté à la source (S), le stylo rouge connecté au drain (D), la valeur de résistance mesurée doit être de quelques ohms à des dizaines d'ohms, indiquant que la source et le drain entre les conditions spécifiques peuvent être la conduction.
Observez la disposition des broches :
Pour les MOSFET avec une disposition des broches bien définie (comme certaines formes de boîtier), l'emplacement et la fonction de chaque broche peuvent être déterminés en consultant le schéma de disposition des broches ou la fiche technique.
IV. Précautions
Différents modèles de MOSFET peuvent avoir des dispositions de broches et des marquages différents, il est donc préférable de consulter la fiche technique ou le dessin de l'emballage du modèle spécifique avant utilisation.
Lors de la mesure et de la connexion des broches, veillez à faire attention à la protection contre l'électricité statique pour éviter d'endommager le MOSFET.
Les MOSFET sont des dispositifs contrôlés en tension avec des vitesses de commutation rapides, mais dans les applications pratiques, il est toujours nécessaire de prêter attention à la conception et à l'optimisation du circuit de commande pour garantir que le MOSFET peut fonctionner correctement et de manière fiable.
En résumé, les trois broches du MOSFET peuvent être distinguées avec précision de diverses manières telles que l'identification des broches, la fonction des broches et les méthodes de mesure.
Heure de publication : 19 septembre 2024