Quelles sont les quatre régions d’un MOSFET ?

 

Les quatre régions d'un MOSFET à amélioration de canal N

(1) Région à résistance variable (également appelée région insaturée)

Ucs" Ucs (th) (tension d'activation), uDs" UGs-Ucs (th), est la région à gauche de la trace pré-bridée sur la figure où le canal est activé. La valeur des UD est faible dans cette région et la résistance du canal est essentiellement contrôlée uniquement par les UG. Lorsque uGs est certain, ip et uDs sont dans une relation linéaire, la région est approximée comme un ensemble de lignes droites. A cet instant, le tube à effet de champ D, S entre l'équivalent d'une tension UGS

Contrôlé par la résistance variable de tension UGS.

(2) région à courant constant (également connue sous le nom de région de saturation, région d'amplification, région active)

Ucs ≥ Ucs (h) et Ubs ≥ UcsUssth), pour la figure du côté droit du pré-pincement hors piste, mais pas encore décomposé dans la région, dans la région, quand les uGs doivent l'être, ib ne le fait presque pas le changement avec les UD est une caractéristique à courant constant. i est contrôlé uniquement par les UG, alors le MOSFETD, S équivaut à un contrôle de tension uG de la source de courant. Le MOSFET est utilisé dans les circuits d'amplification, généralement sur le travail du MOSFET D, S équivaut à une source de courant de contrôle de tension uGs. Les MOSFET utilisés dans les circuits d'amplification fonctionnent généralement dans la région, également connue sous le nom de zone d'amplification.

(3) Zone de coupure (également appelée zone de coupure)

Zone de coupure (également appelée zone de coupure) pour répondre à l'ucs "Ues (th) pour la figure proche de l'axe horizontal de la région, le canal est entièrement bloqué, connu sous le nom de coupure complète, io = 0 , le tube ne fonctionne pas.

(4) emplacement de la zone de panne

La région de répartition est située dans la région située à droite de la figure. Avec l'augmentation des UD, la jonction PN est soumise à trop de tension inverse et de claquage, ip augmente fortement. Le tube doit être utilisé de manière à éviter de fonctionner dans la zone de panne. La courbe caractéristique de transfert peut être dérivée de la courbe caractéristique de sortie. Sur la méthode utilisée comme graphique pour trouver. Par exemple, sur la figure 3 (a) pour la ligne verticale Ubs = 6V, son intersection avec les différentes courbes correspondant aux valeurs i, Us dans les coordonnées ib-Uss reliées à la courbe, c'est-à-dire pour obtenir la courbe caractéristique de transfert.

Paramètres deMOSFET

Il existe de nombreux paramètres du MOSFET, notamment les paramètres DC, AC et limites, mais seuls les principaux paramètres suivants doivent être concernés dans l'utilisation courante : courant drain-source saturé, tension de pincement IDSS Up, (tubes de type jonction et épuisement -type tubes à grille isolée, ou tension d'activation UT (tubes à grille isolée renforcée), trans-conductance gm, tension de claquage de la source de fuite BUDS, puissance dissipée maximale PDSM et courant drain-source maximal IDSM.

(1) Courant de drain saturé

Le courant de drain saturé IDSS est le courant de drain dans un MOSFET à grille isolée de type à jonction ou à appauvrissement lorsque la tension de grille UGS = 0.

(2) Tension de coupure

La tension de pincement UP est la tension de grille dans un MOSFET à grille isolée de type à jonction ou à appauvrissement qui coupe simplement entre le drain et la source. Comme indiqué en 4-25 pour le tube à canal N UGS, une courbe ID peut être comprise pour voir l'importance de l'IDSS et de l'UP.

MOSFET quatre régions

(3) Tension d'activation

La tension d'activation UT est la tension de grille dans un MOSFET à grille isolée renforcée qui rend la source inter-drain juste conductrice.

(4) Transconductance

La transconductance gm est la capacité de contrôle de la tension grille-source UGS sur le courant de drain ID, c'est-à-dire le rapport entre la variation du courant de drain ID et la variation de la tension grille-source UGS. 9m est un paramètre important qui pèse sur la capacité d'amplification duMOSFET.

(5) Tension de claquage de la source de drain

La tension de claquage de la source de drain BUDS fait référence à la tension de source de grille UGS certaine, le fonctionnement normal du MOSFET peut accepter la tension de source de drain maximale. Il s'agit d'un paramètre limite, ajouté à la tension de fonctionnement du MOSFET qui doit être inférieure à BUDS.

(6) Dissipation de puissance maximale

La dissipation de puissance maximale PDSM est également un paramètre limite, se réfère auMOSFETles performances ne se détériorent pas lorsque la dissipation de puissance maximale admissible de la source de fuite. Lors de l'utilisation du MOSFET, la consommation d'énergie pratique doit être inférieure à celle du PDSM et laisser une certaine marge.

(7) Courant de vidange maximal

Le courant de fuite maximum IDSM est un autre paramètre limite, fait référence au fonctionnement normal du MOSFET, la source de fuite du courant maximum autorisé à traverser le courant de fonctionnement du MOSFET ne doit pas dépasser l'IDSM.

Principe de fonctionnement du MOSFET

Le principe de fonctionnement du MOSFET (MOSFET à amélioration de canal N) est d'utiliser VGS pour contrôler la quantité de « charge inductive », afin de changer l'état du canal conducteur formé par ces « charges inductives », puis d'atteindre l'objectif. de contrôler le courant de drain. Le but est de contrôler le courant de drain. Dans la fabrication de tubes, grâce au processus de création d'un grand nombre d'ions positifs dans la couche isolante, de sorte que de l'autre côté de l'interface peuvent être induites davantage de charges négatives, ces charges négatives peuvent être induites.

Lorsque la tension de grille change, la quantité de charge induite dans le canal change également, la largeur du canal conducteur change également et donc le courant de drain ID change avec la tension de grille.

Rôle du MOSFET

I. MOSFET peut être appliqué à l'amplification. En raison de l'impédance d'entrée élevée de l'amplificateur MOSFET, le condensateur de couplage peut avoir une capacité plus petite, sans utiliser de condensateurs électrolytiques.

Deuxièmement, l'impédance d'entrée élevée du MOSFET est très adaptée à la conversion d'impédance. Couramment utilisé dans l'étage d'entrée d'amplificateur à plusieurs étages pour la conversion d'impédance.

Le MOSFET peut être utilisé comme résistance variable.

Quatrièmement, le MOSFET peut être facilement utilisé comme source de courant constant.

Cinquièmement, le MOSFET peut être utilisé comme commutateur électronique.