Quelles sont les causes du chauffage du MOSFET de l’onduleur ?

Le MOSFET de l'onduleur fonctionne dans un état de commutation et le courant circulant à travers le MOSFET est très élevé. Si le MOSFET n'est pas correctement sélectionné, l'amplitude de la tension de commande n'est pas suffisamment grande ou la dissipation thermique du circuit n'est pas bonne, cela peut provoquer un échauffement du MOSFET.

1, le chauffage MOSFET de l'onduleur est sérieux, il faut faire attention auMOSFETsélection

Le MOSFET dans l'onduleur en état de commutation nécessite généralement son courant de drain aussi grand que possible, sa résistance à l'état passant aussi petite que possible, afin que vous puissiez réduire la chute de tension de saturation du MOSFET, réduisant ainsi le MOSFET puisque la consommation, réduire le chaleur.

Consultez le manuel du MOSFET, nous constaterons que plus la valeur de tension de tenue du MOSFET est élevée, plus sa résistance à l'état passant est grande, et pour ceux avec un courant de drain élevé, une valeur de tension de tenue faible du MOSFET, sa résistance à l'état passant est généralement inférieure à des dizaines de milliohms.

En supposant que le courant de charge est de 5 A, nous choisissons l'onduleur MOSFETRU75N08R couramment utilisé et une valeur de tension de tenue de 500 V 840 peut être, leur courant de drain est de 5 A ou plus, mais la résistance à l'état passant des deux MOSFET est différente, entraîne le même courant. , leur différence de chaleur est très grande. La résistance à l'état passant du 75N08R n'est que de 0,008 Ω, tandis que la résistance à l'état passant de 840 est de seulement 0,008 Ω, tandis que la résistance à l'état passant du 840 est de 0,85 Ω. Lorsque le courant de charge circulant à travers le MOSFET est de 5 A, la chute de tension du MOSFET du 75N08R n'est que de 0,04 V et la consommation du MOSFET du MOSFET n'est que de 0,2 W, tandis que la chute de tension du MOSFET du 840 peut atteindre 4,25 W, et la consommation du MOSFET atteint 21,25 W. De là, on peut voir que la résistance à l'état passant du MOSFET est différente de la résistance à l'état passant du 75N08R et que leur génération de chaleur est très différente. Plus la résistance à l'état passant du MOSFET est petite, meilleure est la résistance à l'état passant du MOSFET, le tube MOSFET sous une consommation de courant élevée est assez grand.

2, le circuit de commande de l'amplitude de la tension de commande n'est pas assez grand

MOSFET est un dispositif de contrôle de tension, si vous souhaitez réduire la consommation du tube MOSFET, réduire la chaleur, l'amplitude de tension de commande de porte MOSFET doit être suffisamment grande, conduire le bord d'impulsion à raide, peut réduire laMOSFETChute de tension du tube, réduit la consommation du tube MOSFET.

3, la dissipation thermique MOSFET n'est pas une bonne cause

Le chauffage MOSFET de l'onduleur est sérieux. Comme la consommation du tube MOSFET de l'onduleur est importante, le travail nécessite généralement une zone externe suffisamment grande du dissipateur thermique, et le dissipateur thermique externe et le MOSFET lui-même entre le dissipateur thermique doivent être en contact étroit (généralement requis pour être recouvert d'un revêtement thermiquement conducteur). graisse de silicone), si le dissipateur thermique externe est plus petit, ou si le MOSFET lui-même n'est pas assez proche du contact du dissipateur thermique, cela peut entraîner un échauffement du MOSFET.

Chauffage MOSFET par onduleur sérieux, il y a quatre raisons pour ce résumé.

Un léger échauffement du MOSFET est un phénomène normal, mais l'échauffement est grave, et même le MOSFET est brûlé, il y a les quatre raisons suivantes :

1, le problème de la conception du circuit

Laissez le MOSFET fonctionner dans un état de fonctionnement linéaire, plutôt que dans un état de circuit de commutation. C'est également l'une des causes de l'échauffement du MOSFET. Si le N-MOS effectue la commutation, la tension de niveau G doit être supérieure de quelques V à celle de l'alimentation pour être complètement activée, alors que le P-MOS est l'inverse. Pas complètement ouvert et la chute de tension est trop importante, ce qui entraîne une consommation d'énergie, l'impédance CC équivalente est plus grande, la chute de tension augmente, donc U * I augmente également, la perte signifie de la chaleur. C’est l’erreur la plus évitée dans la conception du circuit.

2, une fréquence trop élevée

La raison principale est que parfois la recherche excessive du volume, entraînant une augmentation de la fréquence,MOSFETles pertes sont grandes, donc la chaleur est également augmentée.

3, pas assez de conception thermique

Si le courant est trop élevé, la valeur nominale du courant du MOSFET nécessite généralement une bonne dissipation thermique. Ainsi, l'ID est inférieur au courant maximum, il peut également chauffer mal et nécessiter suffisamment de dissipateur thermique auxiliaire.

4, la sélection MOSFET est erronée

Mauvais jugement de puissance, la résistance interne du MOSFET n'est pas entièrement prise en compte, ce qui entraîne une augmentation de l'impédance de commutation.