Quel est le principe de fonctionnement du MOSFET ?

Titre MOSFET (abréviation FieldEffect Transistor (FET))MOSFET. par un petit nombre de porteurs pour participer à la conductivité thermique, également appelé transistor à jonction multipolaire. Il est classé comme dispositif semi-supraconducteur commandé en tension. La résistance de sortie existante est élevée (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), faible bruit, faible consommation d'énergie, plage statique, facile à intégrer, pas de deuxième phénomène de panne, la tâche d'assurance de la grande mer et d'autres avantages, a maintenant changé le transistor à jonction bipolaire et transistor à jonction de puissance des collaborateurs forts.

Caractéristiques des MOSFET

Premièrement : le MOSFET est un dispositif de maîtrise de tension, il passe par le VGS (tension source de grille) jusqu'à l'ID maître (drain DC) ;

Deuxième:MOSFETLa sortie DC est très petite, donc sa résistance de sortie est très grande.

Trois : on lui applique quelques porteurs pour conduire la chaleur, et il a donc une meilleure mesure de stabilité ;

Quatre : il consiste en un chemin réduit de réduction électrique de petits coefficients pour être plus petit que le transistor consiste en un chemin réduit de réduction électrique de petits coefficients ;

Cinquièmement : pouvoir anti-irradiation MOSFET ;

Sixièmement : parce qu'il n'y a pas d'activité défectueuse de dispersion minoritaire provoquée par des particules de bruit dispersées, car le bruit est faible.

Principe de tâche MOSFET

MOSFETprincipe de tâche en une phrase, c'est-à-dire "drain - source parcourt le canal entre l'ID, avec l'électrode et le canal entre le pn construits en une tension d'électrode de polarisation inverse pour maîtriser l'ID". Plus précisément, l'amplitude de l'ID à travers le circuit, c'est-à-dire la section transversale du canal, est due à la variation contre-biaisée de la jonction pn, l'apparition de la couche d'appauvrissement pour étendre la variation de la maîtrise de la raison. Dans la mer non saturée de VGS=0, l'expansion de la couche de transition indiquée n'est pas très grande car, selon le champ magnétique de VDS ajouté entre le drain-source, certains électrons de la mer source sont arrachés par le drain. , c'est-à-dire qu'il existe une activité DC ID du drain vers la source. La couche modérée s'étendant de la porte au drain formera un type de blocage de tout le corps du canal, ID complet. Faites référence à ce modèle sous le nom de pincement. Cela symbolise que la couche de transition obstrue la totalité du canal, et ce n'est pas que le DC est coupé.

Dans la couche de transition, comme il n'y a pas d'auto-mouvement des électrons et des trous, sous la forme réelle des caractéristiques isolantes de l'existence du courant continu général, il est difficile de se déplacer. Cependant, le champ magnétique entre le drain et la source, en pratique, les deux couches de transition contactent le drain et le pôle de grille en bas à gauche, car le champ magnétique de dérive attire les électrons à grande vitesse à travers la couche de transition. Parce que la force du champ magnétique de dérive ne change tout simplement pas la plénitude de la scène d’identification. Deuxièmement, VGS passe à la position négative, de sorte que VGS = VGS (off), puis la couche de transition change largement la forme pour couvrir la totalité de la mer. Et le champ magnétique du VDS est largement ajouté à la couche de transition, le champ magnétique qui tire l'électron vers la position de dérive, tant qu'il est proche du pôle source du tout très court, ce qui est d'autant plus vrai que le courant continu n'est pas capable de stagner.